8mm 850nm红外发射管,高亮低衰减，12mil60°，台湾芯片假一赔十

part number型号

主波长

正向电压 vf(v)

反向电流

正向电流

峰值辐射照度

半值角

下载

λd(nm)

min

max

ir=(ma)

ir=（ua）

（uw/cm2）

1/2°c

8wir**lc2y

850

1.4

1.6

50

10

350-400

7.5-40

pdf

8wir**lc4y

850

1.4

1.6

60

10

450-500

7.5-40

pdf

8wir**lc6y

850

1.5

1.7

80

10

500-700

7.5-40

pdf

￠8红外发射管的角度有15°30° 45° 60° 80°

Zui大功耗

Zui大正向电流

正向脉冲峰值电流

反向电流电压

焊接温度

工作环境温度

pm=200wm

ifm=50-150ma

ifp=100-150ma

5v

240°c≤4s

-25°c～+60°c